手ごろなSiC MOSFET、GaN FETを調査

デジキーなどで入手しやすいMOSFETをいくつか購入してみました。 SiC MOSFETのVgsは高めに作っている傾向があるのですが、その中でもVgsが低めなものを集めてみました。理由はアンプの電源電圧を高くしないで動作するものを探すためです。

電源電圧を変える＝電源トランスを変更する という事になりますからね。

左から順に、

Si MOSFET　IRFP240PBF（Vishay）・・気に入っているMOSFET

SiC MOSFET　SCT2450KE（ROHM）・・製造中止品

SiC MOSFET　C3R350MT12D（GeneSiC）

GaNFET　GAN111-650WSB（Nexperia）

です。

それぞれ半導体テスタで見てみましょう。

■IRFP240PBF（Vishay Siliconix）

Vt=3.58V
Cg=2872pF
Rds=0.3Ω

と表示されています。　とりあえず、これが通常のMOSFETということにして比較していきましょう。

■SCT2450KE（ROHM）

Vt=4.19V
Cg=703pF

なぜかIGBTとして認識されています。　何度繰り返しても一緒でした。このSiC MOSFETは秋月で安く売っていましたが今は製造中止で販売されていません。

■C3R350MT12D（GeneSiC）

Vt=3.22V
Cg=421pF
Rds=10.3Ω

このSiC MOSFETはデジキーで探して最もVgs（Vt）が低そうなものでした。　今回標準にしたIRFP240よりも低く、期待大です。

スイッチング動作で使う訳ではありませんから、Rds（ON抵抗）の高さは気にしなくても良いと考えています。

■GAN111-650WSB（Nexperia）

Vt=4.58V
Cg=373pF
Rds=2.2Ω

今回の中で唯一のGaNFETです。　GaNと言ってもSi MOSFETとカスケード接続されていて、純粋なGaNではありません。 どうも純粋なGaNはノーマリーON特性（デプレッション型）となっていて使いにくいのでカスケード接続にしてあるようです。 

昔のV-FETみたいに逆バイアス回路でアンプを作るという手もあるとは思いますが、実験中、事故りそうな気配を感じるのでパワーデバイスのデプレッション型は手を出したくないですよね。その点、カスケード型のGaNFETは使いやすいと思います。

足の配置が他のMOSFETと違うため注意が必要です。とはいえ、D-Sを入れ変えればよいので割と簡単に接続できると思います。

という感じで、本日はここまでです。