電流帰還型低電圧ヘッドホンアンプ ひずみ率、S/N比など

先日の続きで電流帰還型低電圧ヘッドホンアンプの測定を行っています。

本日はS/N比やひずみ率の結果です。

電源が電池なので、ハムノイズなど余計なものがないため測定はらくちん。

基板のコネクタが3.5mmジャックになっているので負荷抵抗をどうするか悩んだ挙句、こんな感じで基板に直接半田付けしてしまいました。

そんなに手間ではありませんが様々な抵抗値に変更するのは流石に面倒なので、とりあえず33Ωのみ。

S/N比

ほぼ最大出力の1Vrmsを基準にしてL/R共に101dBとなりました。写真はたまたま両チャンネルとも101.0dBを表示していますが、0.1～0.2dBほどはふらついています。

特段に高S/N比という数値ではありませんが、この電圧しか出ないアンプとしては及第点と思います。

ひずみ率

このタイプの電流帰還アンプは増幅段が1段のみなのでNFB量はさほど多くはありません。
オープンループゲインは60～70dB、クローズループドゲイン（仕上がりゲイン）は約6dBなので帰還量は60dBちょっとと思われます。このくらいのゲインのアンプは可聴帯域の帰還量がほぼフラットになる利点もありますね。

ということで実測した結果がこれです。

100dB以上の超多帰還アンプと比べると低ひずみとは言えませんが、割と自然なカーブを描いていると思います。20kHzでもひずみが増えないのは上記のようにフラットな帰還量がなせる業ですね。エミッタ抵抗レス・トランスリニアバイアスのおかげで電流が枯れることなくクロスオーバー歪やスイッチング歪も殆ど顔を出さないのが功を奏していると思います。

終段が７パラプッシュップルで、トランジスタひとつひとつの負荷が軽いところが「滑らか」「柔らか」「爽やか」なサウンドを聞かせてくれる要因になっているのでは、と考えています。

いづれにしても、低電圧アンプだからこそ実現できるこの構成ならではの特徴が出ていそうです。

んまあ、終段のアイドリング電流がどのくらい流れているのか直接測定できないのがエミッタ抵抗レスの欠点ですね。

電池から基板までの配線をテスターで電流測定することは可能ですし、サーモビューアーでちゃんとバランスよく電流が流れているというところまで確認できているので心配はしていません。