新しいヘッドホンアンプの方も順調です。

昨年から試作を繰り返して3回目になります。

3代目の形状はこんな感じ。

主に何を変えてきたのかといいますと、

最初の試作では、最終段のトランジスタをヒートシンクなしで６パラプッシュプル構成としていました。

ところが、最終段のトランジスタに電流を沢山流してあげた方が音が良いことに気が付いて放熱が足りなくなってしまいました。

そこで、2代目は秋月電子で入手できる手ごろなサイズのヒートシンクを付けてみました。

トランジスタは、2段積みで6パラプッシュプル。

しかし電流を多くすると直接ヒートシンクについていないトランジスタの温度が上昇してしまい、思ったよりもアイドリング電流を上げられないという欠点が判明しました。

そこで、2段積みをやめて3パラプッシュプルに縮小しました。熱暴走問題はクリアできたものの、ヒートシンクが邪魔して2枚の基板の距離を近づけられないという物理的な問題も発生。そのおかげでハムノイズを拾いやすくなってしまいます。（GND－信号ループが大きくなってしまう）

ということで、3代目の登場です。

ヒートシンクをやめて、底板へ終段を貼り付けて放熱する方法にしました。4パラプッシュプルに変更して基板サイズも縮小。エミッタ抵抗の並べ方が少し特徴的になりました。

電源基板も専用設計にして出力インピーダンスを3段階に切り替えるリレーを搭載しました。もちろん従来どおり、万一アンプ出力にDC漏れがあった場合は保護動作として出力をカットします。電源ON-OFF時のポップノイズも防ぎます。

ダイレクト出力以外の2つのインピーダンスは実装する抵抗値で自由に選べますが、とりあえず10Ω、100Ωにしてみました。

LOW＝0Ω、MID＝10Ω、HIGH＝100Ω です。

この機能、スピーカー用のアンプのダンピングファクタ切換えに相当します。出力インピーダンスが高くなるとダンピングファクタ（DF）は小さい数値になります。

DF=8Ω÷出力インピーダンス

という式で表されます。例えば、

出力インピーダンス＝1Ω  であれば　DF＝ 8Ω÷1Ω ＝8 
出力インピーダンス＝0.1Ω だと　　 DF＝8Ω÷0.1Ω＝80 

となります。

スピーカー用アンプの場合は負荷インピーダンスとして8Ωを使うケースが多いのですが、ヘッドホンアンプはDF自体をカタログスペックに謳わないため、標準的な負荷インピーダンスがいくつかなのか不明です。

この機能、ざっと試聴してみた感じでは低域側の鳴りっぷりや高域の伸びに影響があって意外と面白いです。演奏しているステージまでの距離感が変わるような雰囲気も感じます。

同じ抵抗値で「抵抗の種類を切り換える」なんて使い方も面白いかもしれませんね。

　＜ 左から１回目、2回目、3回目 ＞

さすがに3回目の基板ですので、目立つ問題点もなくサクっと安定動作させることができました。ハム対策もばっちりです。

この後、ある程度エージングが進んだときに最終的な調整を行って、リリース準備にとりかかろうかと思っています。

初段のBC550Cの入手ルートが迷いますね。RSコンポーネンツかビスパあたりが有力でしょうか。選別なしなら基板に付録するという事も出来ます。

ではでは、よろしくお願いします。

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