2015年現在も製造中のJFET ディスクリートのJFETをいまだに作っているのは東芝だけ？

下の表は、現在も製造中と思われる、東芝のJFET一覧です。

　

相当数のディスクリート半導体は数年前に製造中止になっていまい、現在は、ごく一部のチップ品だけが残っています。

この表を見て気づくことは、特性として種類が ２種類しかない ということ。　パッケージ（サイズ）違いとシングル、ペア（Dual）の組み合わせしかありません。　

Dual JFETは１つだけ。　サイズ違いで２つの型番があります。　

らでは早速、Dual FETの2SK2145の特性を見てみましょう。

　

このスペックをみて、何かと似ていると感づく人はさすがに少ないと思います。　実は、かつてあったディスクリート品の2SK117と同じです。　ついでに、いいますと 2SK150という一時期高級アンプにも多用されたDual JFETに特性が近い。（一緒ではありません）　

下が、2SK117のデータシートの電気的特性です。

つまり、2SK2145は、2SK117をペアにしてチップ部品にしたものといえます。　

蛇足ですが、今、残っているもう１つの特性を有する2SK208/2SK879の方は、なんと、あの2SK30と同じ特性です。　

さてさて、前置きが長くなってしまいましたが、もう少し詳細を調べていきましょう。　

まずは、ID-VDS特性とID-VGS特性です。　

どちらも特徴という特徴はなく、いたって素直な特性です。　特にID-VGS特性はIdssのバラつきに依存し、Idssが小さいものだと大きなドレイン電流を流せないことが分かります。　逆にIdssが大きな個体を使って小さなドレイン電流で使うとゲートソース間電圧が（マイナス側に）高くなることが分かります。

次を見ていきましょう。　順方向伝達アドミタンス特性です。

簡単にいうと増幅率の特性です。　ドレイン電流を増やすと増幅率が大きくなる。　増幅率は、最終的なNFB量とも深く関係があり、発振安定性などにも関与してるので重要です。　

以前こちらで、JFETとバイポーラの増幅率の比較をしていました。　気になる方は参考にどうぞ。　

ソース接地のゲインは　gm x RL　です。　RLは負荷抵抗です。　

例えば RL＝2.2kΩで、IDが1mAなら上図からgm=約10 と読めるので

ゲイン＝ 10mS x 2.2kΩ ＝  22倍 　と計算できます。

最後になりますが、ノイズフィギュア（NF）の特性です。　値が小さい方がノイズが少ない。　

ドレイン電流が0.5mAを超えるとほぼ一定です。　また信号源抵抗も2～3kΩを超えると200kΩあたりまではフラットです。　つまり、通常のオーディオアンプとして使っている限りは、ほぼNFが変わらず一定であるといえます。　

肝心のNFの値ですが　Rg=1kΩ時、1kHzで約0.3ｄB、10Hzで約1.25dBと、JFETの中でもTOPレベルの低さです。　これを超えるものは2SK170くらいしかありませんし、その差はわずかです。　

2SK2145のデータシートには記載がありませんが、ゲート過剰逆電流 IGSX　という特性があります。　VDSが高くなると、ゲートへ電流がリークする特性のことで、耐圧が50Vあったとしても、一般的にはVGSは10V以下で使うことが多いのです。　2SK170の例だと、VGSが2V高くなるごとにゲート過剰逆電流は約10倍ほど増えてしまいます。　

この特性のことは、頭の片隅にいれておいて設計します。　場合によっては初段のカスコード化が必要になるかもしれません。　（カスコード化のデメリットもある）　

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