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2013年4月15日 (月)

純Ａ級ヘッドホンアンプ完成

ようやく完成いたしました。　

昨日からこちらに公開しています。

Classa

今回は、位相余裕が足りなくなり、少しだけ高度なテクニックを使いました。　そのため部品が数点ほど増えてしまいましたが、ようやく納得のできる仕上がりになりました。　

 

先日の宣言通り、トランジスタの選別をしなくても全く問題ありません。

メーカで生産する場合には、選別などはできないですから、この状態が本来あるべき姿な気がします。　　もちろん、初段をhfeで選別したものを使うというのは自作ならではの楽しみ方のひとつだと思います。
　
　
　それはさておき
　
文章にして表現するのが難しいのですが、やっぱり純Ａ級アンプって違うなぁ　
っと正直思います。

一体、何がちがうんだろう。　
　
聴いてみてご感想をいただけたらと思います。
　
　

2013年4月15日 (月) ヘッドホンアンプ, 電子回路 |

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コメント

たかじんさん、こんばんは。

「たかじん式純A級フルディスクリートヘッドホンアンプ」、完成おめでとうございます。

「ラグリード型位相補正」
何やら難しい用語がでてきたのですが、私には「スナバ回路」としか理解できませんでした。
いろいろな名前があると初めて知りました。


実は注文していた部品が在庫切れで、若干出遅れてしまいました；；；
２接点リレーがない、1mAの定電流ダイオードもないとかで、止まったままです。

終段1段仕様の基板はできていますが、2パラ仕様にして、まずは指定された
トランジスタ(山のように余っていますし）を取り付けられるように、基板を加工してみようと
思っています。

「純Ａ級アンプ」
どのような音がするのでしょうねぇ。

投稿: まるは | 2013年4月15日 (月) 23時03分

まるはさん　こんにちは。

ラグリードも、スナバもzobelもみんな回路は一緒ですね。　　それぞれどういう時に使うかで名称が
違ってくるんだと思います。　たんにCR直列回路ですから・・・

定電流ダイオードは１mAから３・４ｍAでも問題ありません。　電流が大目の方が、厚い音がするように
思いますが、気のせいかもしれません。

純A級。　以前におっしゃっていた2SC4793／2SA1837で組んでみるのも良いと思います。
ぜひ聴いてみてください。

投稿: たかじん | 2013年4月17日 (水) 16時45分

たかじんさん、こんばんは。

＞ラグリードも、スナバもzobelも
全部同じ回路というのも、面白いことです。

それぞれの箇所で仕事はしているようでして、先に作った
「たかじん式ヘッドホンアンプ」にも早速組み込んでみましたが、
それ相応の変化があり、非常に気にいっています。
高域の伸びに詰まりがないように感じられます。


＞定電流ダイオード
回路の不思議で、定電流ダイオードの先に、トランジスタ２石の定電流回路が
あるのも、面白い設計だと思いました。
わざと定電流ダイオードを普通の抵抗(10KΩ)にすると、低中域が減った感じがするのも
不思議でした。
重要な仕事をしているという事なのでしょうね。


＞純A級。　以前におっしゃっていた2SC4793／2SA1837
終段を２パラにしないと、インピーダンスの関係上、かなり不利になるというのが
詳しい解説で分かりました。あえてそれを試してみて聴き比べるというのも大事かもしれませんが。

最初から逸脱した物で作っていますので、１度？オリジナル部品で作って聴いてみるのも
大事だと思うようになりました。
それから好き勝手に部品を換えてみてもいいのではないかと思います。


ここはひとつ上のリンクの話なのですが「LTspice」のシミュレーションを公開されていますが、
回路を見ていて違いを発見しました。

「HPA-12純A級ヘッドホンアンプ回路図 」と
LTspiceシミュレーションファイル「hpa12_classA.asc」　の、数値が違っています。

前者は「R16」「R66」は10Ωとなっていますが、後者は100Ωになっていました。

シミュレーション上では100Ωでなければ終段に十分な電流が流せないと思うのですが。

投稿: まるは | 2013年4月19日 (金) 22時32分

まるはさん　こんばんは

定電流回路は、差動回路にとってはキモなのです。
実際にオーディオアナライザで測定しても、誤差の範囲としか判断できないような差しかないのですが、
音を聴くと違いがでるので、好みで構成を決めるというのが良いかと思います。

最終段の２パラの方は、素の出力インピーダンスに違いはあるのですが、オーバーオールの
NFBもかかるため、実測すると差は殆どでないと思います。　NFBが55～65dBほど掛かっているためです。


シミュレーションファイルのご指摘、なかなか鋭いところを突いてきましたね。
この抵抗はバイアス電圧生成に関与しているのですが、実際に使っているTRのVbeとシミュレーションで
使っているTRのVbeの差があって、必要なバイアス電圧が違うので抵抗値を変えているのです。　
歪特性や高域特性、入出力インピーダンスがコレクタ電流ICに依存するため、できるだけICは実際と
近い値にしたかったからです。
　
それ以外には意図するものはありませんので、シミュレーションでTRの種別を変更してアイドリング電流
を調整したいときには、この抵抗値を変更してください。

投稿: たかじん | 2013年5月 2日 (木) 22時07分

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