トランジスタの熱結合

初段のトランジスタは熱結合した方が良いのか、しなくても良いのか。

写真のトランジスタは東芝のJFETの2SJ75というものですが、中身は2SJ74の特性の揃ったものをアルミのケースに押し込んだだけのものです。　

同一サブストレート上で熱結合されている2SK389のようなものよりは、熱伝達に遅延が発生しますがゆっくりした時間でみると一応は熱が伝わりますので効果はちゃんとあります。

こういった熱結合トランジスタが入手困難な現在は、DCアンプは作れないのかというとそんなことはありません。　

1mVもずれないというのは難しいですが、多少のDC漏れを許すのであれば、負荷抵抗を均等にしてトランジスタの動作条件を同じにしてあげるとDCドリフトは僅かです。　
ボンドでトランジスタをくっつけるという手段もあります。　それにより多少の熱結合が発生し、よりDC漏れが少なくなります。

上の写真も似たようなものです。　アルミケースでより温度が等しくなるというだけで、２つのトランジスタの動作条件を均等にしてあげないといけないのは一緒です。

このアルミケース、昔、会社に転がっていたな。。。　と懐かしく思います。

ちなみに、今このケース自体は入手はできませんが、キッチン用アルミテープを5mm幅程度に切って、２つのトランジスタの外周をぐるぐると巻くように貼り付けるだけで同等の効果を得ることが出来ます。　

銅テープなら更に良い熱結合となるでしょう。

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追記です。　

　　　　　

アルミテープ巻き。　　５～６周ほどテープを巻きつけます。　この写真は３周程度。
　
結局のところ、同一サブストレートと同等の熱結合は無理ですが、アルミケース並の熱結合は可能で、トランジスタの動作条件を等しくすることでDCアンプは問題なく動作させることができます。　

熱結合しないよりは幾分マシになります。