バイポーラトランジスタとMOSFETの飽和領域

■バイポーラトランジスタの飽和領域

■MOSFETの飽和領域　

飽和領域はどうして違う部分のことなんだろう。　ふと疑問に思った。

静特性でいうと横に平らになっている部分。
VCEやVDSが変化しても、電流が制限されている領域（IbやVgsでコントロールできている領域）という
意味では、増幅動作に変わりはないと思うのですが、
バイポーラトランジスタだと「活性領域」と呼んでいて、MOSFETだと「飽和領域」と呼ぶ。

多分、半導体の動作からすると、そう呼ぶのが正しいのかもしれませんが、この特性を使って
増幅回路を組むという観点からはどちらも同じように感じます。

バイポーラの「VCEsat」すなわちベース電流をがんがん流して、コレクターエミッタ電圧がどこまで下げられるか
というのがスイッチング動作で効率に効いてくる部分のひとつ。
そういう動作領域が「飽和領域」。

MOSFETだとVGSに電圧をがんがん（10Vくらい）にかけて「ON抵抗」なんていう項目があります。
ドレイン電流に対して比較的リニアなんでしょうね。
そこを「線形領域」と呼んでいます。

それではJ-FETはどうなの？　　5極管は？　　調べてみてわかったら、また報告します。
３極管だけは、電流が平らになっている部分がありません。