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2012年6月 8日 (金)

バイポーラトランジスタとMOSFETの飽和領域

■バイポーラトランジスタの飽和領域

Bjt_vceic_2


■MOSFETの飽和領域 

Mosfet_vdsid


飽和領域はどうして違う部分のことなんだろう。 ふと疑問に思った。


静特性でいうと横に平らになっている部分。
VCEやVDSが変化しても、電流が制限されている領域(IbやVgsでコントロールできている領域)という
意味では、増幅動作に変わりはないと思うのですが、
バイポーラトランジスタだと「活性領域」と呼んでいて、MOSFETだと「飽和領域」と呼ぶ。


多分、半導体の動作からすると、そう呼ぶのが正しいのかもしれませんが、この特性を使って
増幅回路を組むという観点からはどちらも同じように感じます。


バイポーラの「VCEsat」すなわちベース電流をがんがん流して、コレクターエミッタ電圧がどこまで下げられるか
というのがスイッチング動作で効率に効いてくる部分のひとつ。
そういう動作領域が「飽和領域」。

MOSFETだとVGSに電圧をがんがん(10Vくらい)にかけて「ON抵抗」なんていう項目があります。
ドレイン電流に対して比較的リニアなんでしょうね。
そこを「線形領域」と呼んでいます。


それではJ-FETはどうなの?  5極管は?  調べてみてわかったら、また報告します。
3極管だけは、電流が平らになっている部分がありません。

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